DDR5 把 PMIC 搬到内存条上：VDD/VDDQ/VPP 三路供电解析
DDR5 把 PMIC 搬到内存条上：VDD/VDDQ/VPP 三路供电解析
供电从主板搬到了模组
DDR4 及更早的内存，电压调节模块（VRM）在主板上，主板上把 12V 或 5V 转成内存所需的低压，再通过金手指送给颗粒。DDR5 做了一处关键改动：把电源管理 IC（PMIC）直接集成到内存条上，由模组自己完成最后一步降压。
三路电压各管什么
DDR5 模组上一共三路主要供电：VDD = 1.1V 给颗粒核心逻辑供电；VDDQ = 1.1V 给数据 I/O 收发电路供电；VPP = 1.8V 是字线泵压，用于行激活时的高压驱动。相比 DDR4 统一的 1.2V，DDR5 核心降到 1.1V，更省电，但同时把"精细调压"的责任交给了模组。
为什么要把 PMIC 搬上来
三个好处。第一，就近稳压：电源离颗粒更近，纹波更小、瞬态响应更好；第二，减轻主板负担：主板不用再为每根条单独布线高压供电；第三，按需供电：模组可按自身负载精细调度，改善整体良率与功耗。JEDEC 把它称为"pay as you go"式的可扩展供电。
新挑战：模组集中发热
PMIC 上模组后，热量从主板转移到了内存条本身，尤其在高密度、多 rank 的 RDIMM 上， PMIC 与颗粒的叠加温升更明显。这就需要 SPD Hub 配合温度传感器（TS）做温度上报，并在高温区触发降频或刷新策略。宽温与高温场景下的稳定性，正好要靠实测来验证。
测试视角
HeroTEST 在高温与宽温机台上验证 DDR5 RDIMM 时，会重点看三路电压在满载与高温下的稳定性、纹波，以及 PMIC 温升是否触发异常保护。 PMIC 健康，是模组可靠分级的硬指标之一。