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DDR4 到 DDR5:测试难点翻了几倍
DDR5 不只是"更快的内存"。对测试工程来说,速率翻倍带来的是时序、电源、信号三重压力。
速率提升(DDR5 常见 4800~6400,OC 到 8000)让建立/保持时序窗口大幅收窄,边际测试更苛刻。
DDR5 引入 on-DIMM PMIC 与更多电源轨,电源测试从"一颗 VDD"变成多轨协同。
密度更高、通道更多,并行测试与散热设计都要重做,单条测试时间未必更短。
换句话说,DDR5 普及的同时,测试能力必须同步升级,否则"高速"只意味着"高速翻车"。
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